宽禁带半导体材料典型代表有碳化硅和氮化镓，这些半导体材料也称为第三代半导体材料。与以硅和砷化镓为代表的第二代半导体相比，宽禁带半导体的优点更加的突出。其具有高热导率、高化学稳定性等优点，使得功率器件可以在更加恶劣的环境下工作，可极大提高系统的稳定性与可靠性。

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